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Amplificateur à faible bruit et à gain élevé en bande X

Amplificateur à faible bruit à gain élevé en bande X Conçu pour fournir une amplification de signal exceptionnelle avec un bruit minimal, cet amplificateur garantit des performances haute fidélité même dans les applications les plus exigeantes. Fonctionnant dans la bande X, il offre un gain important tout en maintenant un faible facteur de bruit, ce qui le rend idéal pour les radars, les communications par satellite et les systèmes de guerre électronique avancés. Sa conception compacte, sa linéarité élevée et son fonctionnement stable dans des conditions environnementales variables assurent une fiabilité optimale, améliorant la sensibilité du système et la qualité globale du signal dans les applications haute fréquence critiques.


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    Processus CMOS 65 nm
    Fréquence de fonctionnement (GHz) 8,5-11,5
    Gain (dB) à 10 GHz 22.9
    Facteur de bruit (dB) à 10 GHz 2.8
    Consommation électrique (mW) 49
    Surface du noyau (mm²) 0,24

    Ce LNA CMOS 65 nm offre un gain élevé de 22,9 dB et une faible consommation de 49 mW dans un format ultra-compact de 0,24 mm². Garantissant une sensibilité de signal supérieure et une intégration efficace, il constitue une solution idéale pour les radars à antenne réseau à commande de phase en bande X, les récepteurs de communication par satellite et les systèmes sans fil économiques.

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