Amplificateur à faible bruit et à gain élevé en bande X
| Processus | CMOS 65 nm |
| Fréquence de fonctionnement (GHz) | 8,5-11,5 |
| Gain (dB) à 10 GHz | 22.9 |
| Facteur de bruit (dB) à 10 GHz | 2.8 |
| Consommation électrique (mW) | 49 |
| Surface du noyau (mm²) | 0,24 |
Ce LNA CMOS 65 nm offre un gain élevé de 22,9 dB et une faible consommation de 49 mW dans un format ultra-compact de 0,24 mm². Garantissant une sensibilité de signal supérieure et une intégration efficace, il constitue une solution idéale pour les radars à antenne réseau à commande de phase en bande X, les récepteurs de communication par satellite et les systèmes sans fil économiques.
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