Amplificateur haute puissance double canal en bande Ka - Fournisseurs et usine chinois de systèmes de communication avancés
Ce PA double canal CMOS 65 nm combine une intégration élevée et un gain de 25,8 dB sur la bande 35-41 GHz. Avec un encombrement réduit de 0,3 mm² et une puissance de sortie de 21,4 dBm, il est idéal pour les terminaux satellites en bande Ka haute densité et économiques, ainsi que pour les réseaux de formation de faisceaux 5G mmWave.
| Paramètre | Spécification |
|---|---|
| Processus | CMOS 65 nm |
| Fréquence de fonctionnement (GHz) | 35-41 |
| Gain (dB) à 10 GHz | 25,8 |
| Psat (dBm) à 38 GHz | 21.4 |
| OP1dB (dBm) à 38 GHz | 19.8 |
| PAEmax (%) à 38 GHz | 21.9 |
| Surface du noyau (mm²) | 0,3 |
Foire aux questions
Quelle technologie de traitement est utilisée pour cet amplificateur de puissance à double canal ?
Cet amplificateur de puissance à deux canaux est fabriqué à l'aide d'un procédé CMOS 65 nm, permettant une conception hautement intégrée et compacte.
Quelle est la plage de fréquences de fonctionnement de cet appareil ?
La plage de fréquences de fonctionnement de cet amplificateur de puissance est de 35 GHz à 41 GHz.
Quels sont les niveaux de puissance de sortie et d'efficacité à 38 GHz ?
À 38 GHz, le PA délivre une puissance de sortie saturée (Psat) de 21,4 dBm, un point de compression de sortie de 1 dB (OP1dB) de 19,8 dBm et une efficacité maximale d'ajout de puissance (PAEmax) de 21,9 %.
Quelle est la surface du noyau de cet amplificateur de puissance ?
L'appareil présente un encombrement extrêmement réduit avec une surface centrale de seulement 0,3 mm².
Quelles sont les principales applications de cet amplificateur de puissance CMOS ?
Il est idéal pour les terminaux satellites en bande Ka à haute densité et à faible coût, ainsi que pour les réseaux de formation de faisceaux 5G mmWave.
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