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Amplificateur haute puissance combiné à double canal en bande Ka

Amplificateur haute puissance combiné à double canal en bande Ka Conçu pour les systèmes de communication micro-ondes et ondes millimétriques avancés exigeant une puissance de sortie élevée, une large bande passante et une grande stabilité, cet amplificateur intègre deux canaux d'amplification indépendants avec une architecture de combinaison de puissance. Il offre ainsi une efficacité de sortie accrue et une linéarité supérieure sur toute la bande Ka. L'amplificateur est doté de réseaux de combinaison à faibles pertes, de composants de puissance haute fiabilité et d'une conception thermique optimisée, garantissant un fonctionnement stable et durable. Idéal pour les terminaux de communication par satellite, les systèmes radar, les antennes à réseau phasé et les modules frontaux RF haute puissance, il assure des performances robustes même dans les environnements de communication les plus exigeants.


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    Processus CMOS 65 nm
    Fréquence de fonctionnement (GHz) 35-41
    Gain (dB) à 10 GHz 25,8
    Psat (dBm) à 38 GHz 21.4
    OP1dB (dBm) à 38 GHz 19.8
    PAEmax (%) à 38 GHz 21.9
    Surface du noyau (mm²) 0,3

    Ce PA double canal CMOS 65 nm combine une intégration élevée et un gain de 25,8 dB sur la bande 35-41 GHz. Avec un encombrement réduit de 0,3 mm² et une puissance de sortie de 21,4 dBm, il est idéal pour les terminaux satellites en bande Ka haute densité et économiques, ainsi que pour les réseaux de formation de faisceaux 5G mmWave.

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