Amplificateur haute puissance combiné à double canal en bande Ka
| Processus | CMOS 65 nm |
| Fréquence de fonctionnement (GHz) | 35-41 |
| Gain (dB) à 10 GHz | 25,8 |
| Psat (dBm) à 38 GHz | 21.4 |
| OP1dB (dBm) à 38 GHz | 19.8 |
| PAEmax (%) à 38 GHz | 21.9 |
| Surface du noyau (mm²) | 0,3 |
Ce PA double canal CMOS 65 nm combine une intégration élevée et un gain de 25,8 dB sur la bande 35-41 GHz. Avec un encombrement réduit de 0,3 mm² et une puissance de sortie de 21,4 dBm, il est idéal pour les terminaux satellites en bande Ka haute densité et économiques, ainsi que pour les réseaux de formation de faisceaux 5G mmWave.
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