Amplificateur de puissance asymétrique Doherty en bande Ka provenant de fournisseurs chinois - Solutions d'usine à haut rendement pour applications RF
| Processus | CMOS 65 nm |
| Fréquence de fonctionnement (GHz) | 35-41 |
| Gain (dB) à 10 GHz | 25 |
| Psat (dBm) à 38 GHz | 23.3 |
| OP1dB (dBm) à 38 GHz | 22.4 |
| PAEmax (%) à 38 GHz | 28.2 |
| Surface du noyau (mm²) | 0,26 |
Avec son format compact de 0,26 mm², cet amplificateur de puissance Doherty CMOS 65 nm offre un rendement élevé (28,2 % PAE) et une excellente linéarité. Optimisé pour la bande de fréquences 35-41 GHz, il est idéal pour les applications économiques de communication 5G mmWave et d'antennes à commande de phase par satellite.
Quel procédé de fabrication de semi-conducteurs est utilisé pour cet amplificateur de puissance Doherty ?
Quelle est la plage de fréquences de fonctionnement de cet amplificateur ?
Quelles sont les capacités de puissance de sortie (Psat et OP1dB) à 38 GHz ?
Quelle est l'efficacité énergétique maximale (PAEmax) de cette puce ?
À quel point la zone physique centrale de l'amplificateur est-elle compacte ?
Quelles sont les principales applications de ce Doherty PA ?
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