Amplificateur double canal en bande Ka haute puissance de fournisseurs chinois | Solutions d'usine fiables pour systèmes de communication
Ce PA double canal CMOS 65 nm combine une intégration élevée et un gain de 25,8 dB sur la bande 35-41 GHz. Avec un encombrement réduit de 0,3 mm² et une puissance de sortie de 21,4 dBm, il est idéal pour les terminaux satellites en bande Ka haute densité et économiques, ainsi que pour les réseaux de formation de faisceaux 5G mmWave.
| Paramètre | Spécification |
|---|---|
| Processus | CMOS 65 nm |
| Fréquence de fonctionnement (GHz) | 35-41 |
| Gain (dB) à 10 GHz | 25,8 |
| Psat (dBm) à 38 GHz | 21.4 |
| OP1dB (dBm) à 38 GHz | 19.8 |
| PAEmax (%) à 38 GHz | 21.9 |
| Surface du noyau (mm²) | 0,3 |
Quelle technologie de fabrication est utilisée pour cet amplificateur de puissance ?
Cet amplificateur de puissance (PA) à deux canaux est fabriqué à l'aide d'un processus CMOS 65 nm hautement intégré.
Quelle est la plage de fréquences de fonctionnement de l'appareil ?
L'appareil fonctionne sur une large bande de fréquences allant de 35 GHz à 41 GHz, ce qui le rend adapté aux applications en bande Ka.
Quelles sont les principales spécifications de puissance de sortie à 38 GHz ?
À 38 GHz, le PA délivre une puissance de sortie saturée (Psat) de 21,4 dBm et un point de compression de sortie de 1 dB (OP1dB) de 19,8 dBm.
Quel est l'encombrement minimal de ce système PA ?
L'amplificateur de puissance présente une surface centrale ultra-compacte de seulement 0,3 mm², permettant une intégration haute densité.
Quel est le rendement maximal de l'amplificateur de puissance ?
L'appareil atteint une efficacité énergétique maximale (PAEmax) de 21,9 % à la fréquence de fonctionnement de 38 GHz.
Quelles sont les principales applications de cet appareil ?
Il est idéal pour les terminaux satellites en bande Ka à haute densité et à faible coût, ainsi que pour les réseaux de formation de faisceaux 5G mmWave.
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