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Amplificateur double canal en bande Ka haute puissance, fourni par des fabricants et usines chinois, pour systèmes satellitaires et radars.
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Amplificateur à poudre haute puissance combiné à deux canaux en bande Ka.jpg

Amplificateur double canal en bande Ka haute puissance, fourni par des fabricants et usines chinois, pour systèmes satellitaires et radars.

L'**amplificateur de puissance combiné double canal en bande Ka** est une solution essentielle pour les systèmes de communication micro-ondes et ondes millimétriques avancés en Chine. Conçu pour fournir une puissance de sortie élevée, une large bande passante et une grande stabilité, cet amplificateur dispose de deux canaux d'amplification indépendants combinés pour une efficacité de sortie accrue et une linéarité supérieure sur toute la bande Ka. Notre usine intègre des réseaux de combinaison à faibles pertes, des composants de puissance haute fiabilité et une conception thermique optimisée, garantissant un fonctionnement stable et durable. Idéal pour les terminaux de communication par satellite, les systèmes radar, les antennes à réseau phasé et les modules frontaux RF haute puissance, cet amplificateur offre des performances robustes adaptées aux environnements de communication exigeants. En tant que fournisseur leader du secteur, nous garantissons la qualité et la fiabilité de tous nos produits.
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    Caractéristiques principales

    Présentation du produit

    Ce PA double canal CMOS 65 nm combine une intégration élevée et un gain de 25,8 dB sur la bande 35-41 GHz. Avec un encombrement réduit de 0,3 mm² et une puissance de sortie de 21,4 dBm, il est idéal pour les terminaux satellites en bande Ka haute densité et économiques, ainsi que pour les réseaux de formation de faisceaux 5G mmWave.

    Paramètre Spécification
    Processus CMOS 65 nm
    Fréquence de fonctionnement (GHz) 35-41
    Gain (dB) à 10 GHz 25,8
    Psat (dBm) à 38 GHz 21.4
    OP1dB (dBm) à 38 GHz 19.8
    PAEmax (%) à 38 GHz 21.9
    Surface du noyau (mm²) 0,3

    Foire aux questions

    Quel procédé de fabrication des semi-conducteurs est utilisé pour cet amplificateur de puissance ?
    Cet amplificateur de puissance à deux canaux est fabriqué à l'aide d'un procédé CMOS standard de 65 nm, ce qui permet une intégration élevée et un bon rapport coût-efficacité.
    Quelle est la plage de fréquences de fonctionnement de cet amplificateur de puissance ?
    La plage de fréquences de fonctionnement de cet amplificateur de puissance s'étend de 35 GHz à 41 GHz, couvrant les principaux spectres de la bande Ka et des ondes millimétriques.
    Quelles sont les capacités de puissance de sortie à 38 GHz ?
    À 38 GHz, l'amplificateur de puissance délivre une puissance de sortie saturée (Psat) de 21,4 dBm et un point de compression de sortie de 1 dB (OP1dB) de 19,8 dBm.
    Quelle est l'efficacité maximale de cet appareil ?
    L'efficacité énergétique maximale (PAEmax) atteinte par cet appareil est de 21,9 % à une fréquence de fonctionnement de 38 GHz.
    Quelle est la superficie au sol de la zone centrale ?
    La zone centrale de cet amplificateur de puissance à deux canaux est extrêmement compacte, mesurant seulement 0,3 mm², ce qui est idéal pour les configurations haute densité.
    Quelles sont les principales applications cibles de cet amplificateur de puissance CMOS ?
    Il est principalement conçu pour les terminaux satellites en bande Ka haute densité et les réseaux de formation de faisceaux à ondes millimétriques (mmWave) 5G.

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