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Produits phares
Amplificateur à gain élevé et faible bruit pour applications en bande X - Fournisseurs et solutions d'usines chinoises
Ce LNA CMOS 65 nm offre un gain élevé de 22,9 dB et une faible consommation de 49 mW dans un format ultra-compact de 0,24 mm². Garantissant une sensibilité de signal supérieure et une intégration efficace, il constitue une solution idéale pour les radars à antenne réseau à commande de phase en bande X, les récepteurs de communication par satellite et les systèmes sans fil économiques.
| Spécification des paramètres | Valeur / Performance |
|---|---|
| Processus | CMOS 65 nm |
| Fréquence de fonctionnement (GHz) | 8,5-11,5 |
| Gain (dB) à 10 GHz | 22.9 |
| Facteur de bruit (dB) à 10 GHz | 2.8 |
| Consommation électrique (mW) | 49 |
| Surface du noyau (mm²) | 0,24 |
Foire aux questions
Quel est le processus de fabrication utilisé pour cet amplificateur à faible bruit (LNA) ?
Cet amplificateur à faible bruit (LNA) est fabriqué à l'aide d'une technologie de processus CMOS 65 nm standard et économique.
Quelle est la plage de fréquences de fonctionnement de cet appareil ?
L'amplificateur à faible bruit (LNA) fonctionne dans la gamme de fréquences de 8,5 GHz à 11,5 GHz, ce qui couvre les principales applications de la bande X.
Quelles sont ses performances en termes de gain et de bruit à 10 GHz ?
À 10 GHz, le LNA offre un gain élevé de 22,9 dB tout en maintenant un facteur de bruit très faible de 2,8 dB.
Quelles sont la consommation électrique et les dimensions physiques du LNA ?
Il présente une faible consommation d'énergie de 49 mW et est construit sur une surface centrale ultra-compacte de seulement 0,24 mm².
Quelles sont les principales applications cibles de ce LNA CMOS ?
Il est hautement optimisé pour les radars à réseau phasé en bande X économiques, les récepteurs de communication par satellite et divers systèmes sans fil à haute fréquence.
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