Amplificateur de puissance asymétrique Doherty en bande Ka à haut rendement, provenant de fournisseurs chinois - Solutions directes d'usine
Gamme de fréquences
35 - 41 GHz
Max PAE
28,2 % à 38 GHz
Zone centrale
0,26 mm²
Avec son format compact de 0,26 mm², cet amplificateur de puissance Doherty CMOS 65 nm offre un rendement élevé (28,2 % PAE) et une excellente linéarité. Optimisé pour la bande de fréquences 35-41 GHz, il est idéal pour les applications économiques de communication 5G mmWave et d'antennes à commande de phase par satellite.
| Paramètre | Valeur de spécification |
|---|---|
| Processus | CMOS 65 nm |
| Fréquence de fonctionnement (GHz) | 35 - 41 |
| Gain (dB) à 10 GHz | 25 |
| Psat (dBm) à 38 GHz | 23.3 |
| OP1dB (dBm) à 38 GHz | 22.4 |
| PAEmax (%) à 38 GHz | 28.2 |
| Surface du noyau (mm²) | 0,26 |
Quel procédé de fabrication des semi-conducteurs est utilisé pour cet amplificateur de puissance ?
Quelle est la plage de fréquences de fonctionnement de cet appareil ?
Quelle est l'efficacité énergétique maximale (PAE) et la puissance de sortie ?
Quelles sont les principales applications cibles de cet amplificateur de puissance Doherty ?
Quelle est la compacité de la zone centrale de ce circuit intégré ?
Get in touch
Your email address will not be published. Required fields are marked *

LTCC
MLCC



