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Amplificateur à faible bruit et à gain élevé en bande X (Chine) - Fournisseurs et usine fiables pour applications radar et de communication
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Amplificateur à faible bruit et à gain élevé en bande X (Chine) - Fournisseurs et usine fiables pour applications radar et de communication

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Amplificateur à faible bruit et à gain élevé en bande X, fabriqué en Chine Conçu pour une amplification de signal supérieure et un bruit minimal, cet amplificateur est idéal pour les applications exigeantes. Issu de fournisseurs et d'usines chinoises de renom, il fonctionne en bande X et offre un gain important tout en maintenant un faible niveau de bruit. Il est parfaitement adapté aux radars, aux communications par satellite et aux systèmes de guerre électronique avancés. Grâce à sa conception compacte, sa linéarité élevée et son fonctionnement stable dans diverses conditions environnementales, cet amplificateur garantit des performances fiables, améliorant la sensibilité du système et la qualité globale du signal dans les applications haute fréquence critiques.

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    Caractéristiques principales

    Processus CMOS 65 nm
    Fréquence de fonctionnement 8,5-11,5 GHz
    Gain à 10 GHz 22,9 dB
    Facteur de bruit à 10 GHz 2,8 dB
    Consommation d'énergie 49 mW
    Zone centrale 0,24 mm²
    Ce LNA CMOS 65 nm offre un gain élevé de 22,9 dB et une faible consommation de 49 mW dans un format ultra-compact de 0,24 mm². Garantissant une sensibilité de signal supérieure et une intégration efficace, il constitue une solution idéale pour les radars à antenne réseau à commande de phase en bande X, les récepteurs de communication par satellite et les systèmes sans fil économiques.
    Foire aux questions
    Quel procédé de fabrication de semi-conducteurs est utilisé pour cet amplificateur à faible bruit (LNA) ?
    Cet amplificateur à faible bruit (LNA) est fabriqué à l'aide d'une technologie de processus CMOS 65 nm avancée et économique.
    Quelle est la plage de fréquences de fonctionnement du LNA CMOS ?
    L'appareil fonctionne efficacement sur la plage de fréquences de 8,5 GHz à 11,5 GHz, ce qui le rend adapté aux applications en bande X.
    Quelles sont les principales caractéristiques de performance de cet amplificateur à faible bruit (LNA) à 10 GHz ?
    À une fréquence centrale de 10 GHz, cet amplificateur à faible bruit (LNA) atteint un gain élevé de 22,9 dB et maintient un faible facteur de bruit de 2,8 dB.
    Quelle est la consommation électrique de ce LNA CMOS ?
    L'amplificateur LNA est conçu pour une faible consommation d'énergie, ne nécessitant que 49 mW en fonctionnement pour alimenter les systèmes sensibles à la consommation.
    Quelles sont les dimensions physiques de cette puce LNA ?
    Il présente une surface centrale ultra-compacte de seulement 0,24 mm², permettant une intégration haute densité dans les systèmes sans fil modernes.
    Quelles applications sont les mieux adaptées à ce LNA CMOS 65 nm ?
    Il est fortement recommandé pour les radars à antenne réseau à commande de phase en bande X économiques, les récepteurs de communication par satellite et les systèmes sans fil haute performance.

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