LTCC
MLCC
Usine chinoise d'amplificateurs à faible bruit et à gain élevé en bande X | Fournisseurs fiables pour l'amplification de signaux avancée
| Processus | CMOS 65 nm |
| Fréquence de fonctionnement (GHz) | 8,5-11,5 |
| Gain (dB) à 10 GHz | 22.9 |
| Facteur de bruit (dB) à 10 GHz | 2.8 |
| Consommation électrique (mW) | 49 |
| Surface du noyau (mm²) | 0,24 |
Ce LNA CMOS 65 nm offre un gain élevé de 22,9 dB et une faible consommation de 49 mW dans un format ultra-compact de 0,24 mm². Garantissant une sensibilité de signal supérieure et une intégration efficace, il constitue une solution idéale pour les radars à antenne réseau à commande de phase en bande X, les récepteurs de communication par satellite et les systèmes sans fil économiques.
Foire aux questions
Quelle est la plage de fréquences de fonctionnement de cet amplificateur à faible bruit CMOS ?
Cet amplificateur à faible bruit (LNA) fonctionne dans la gamme de fréquences de 8,5 à 11,5 GHz, ce qui le rend parfaitement adapté aux applications en bande X.
Quel procédé de fabrication est utilisé pour cette puce ?
La puce est fabriquée à l'aide d'une technologie de procédé CMOS 65 nm standard et économique.
Quelles sont les performances en termes de gain et de facteur de bruit à 10 GHz ?
À 10 GHz, cet amplificateur à faible bruit (LNA) offre un gain élevé de 22,9 dB tout en maintenant un faible facteur de bruit de 2,8 dB pour garantir une excellente sensibilité du signal.
Quelle est la consommation électrique et la surface centrale du LNA ?
Le LNA présente une surface centrale ultra-compacte de seulement 0,24 mm² et fonctionne efficacement avec une faible consommation d'énergie de 49 mW.
Quelles sont les principales applications cibles de cet amplificateur à faible bruit (LNA) ?
Il est hautement optimisé pour les radars à antenne réseau à commande de phase en bande X économiques, les récepteurs de communication par satellite et les systèmes sans fil haute performance.
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