Fabricant et fournisseur chinois : Amplificateur de puissance asymétrique Doherty en bande Ka pour un rendement élevé et des performances linéaires
Avec son format compact de 0,26 mm², cet amplificateur de puissance Doherty CMOS 65 nm offre un rendement élevé (28,2 % PAE) et une excellente linéarité. Optimisé pour la bande de fréquences 35-41 GHz, il est idéal pour les applications économiques de communication 5G mmWave et d'antennes à commande de phase par satellite.
| Paramètre | Spécification |
|---|---|
| Processus | CMOS 65 nm |
| Fréquence de fonctionnement (GHz) | 35-41 |
| Gain (dB) à 10 GHz | 25 |
| Psat (dBm) à 38 GHz | 23.3 |
| OP1dB (dBm) à 38 GHz | 22.4 |
| PAEmax (%) à 38 GHz | 28.2 |
| Surface du noyau (mm²) | 0,26 |
Foire aux questions
Quel procédé de fabrication de semi-conducteurs utilise ce PA Doherty ?
Cet amplificateur de puissance Doherty (PA) est fabriqué à l'aide d'un processus CMOS standard de 65 nm, ce qui le rend très rentable pour la production en série.
Quelle est la plage de fréquences de fonctionnement de cet appareil ?
L'appareil est optimisé pour fonctionner efficacement dans la plage de fréquences de 35 GHz à 41 GHz.
Quelles sont les spécifications de puissance de sortie et d'efficacité à 38 GHz ?
À 38 GHz, le PA Doherty délivre une puissance de sortie saturée (Psat) de 23,3 dBm, un point de compression de sortie de 1 dB (OP1dB) de 22,4 dBm et atteint une efficacité d'ajout de puissance maximale (PAEmax) de 28,2 %.
Quelle est la compacité de la zone centrale de cette puce ?
Elle présente un encombrement extrêmement compact avec une surface centrale de seulement 0,26 mm², permettant une intégration facile dans des configurations de réseaux denses.
Quelles sont les principales applications cibles de cet amplificateur de puissance CMOS ?
Grâce à son rendement élevé, sa linéarité et sa taille compacte, il est idéal pour les communications 5G à ondes millimétriques (mmWave) et les applications de réseaux phasés par satellite.
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